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AlN(氮化铝)含量对复合材料体积电阻率和表面电阻率有些影响

更新时间:2026-01-23      点击次数:97

具体影响分析

1.电阻率保持高水平

当AlN体积含量从0%增加至46%的高比例时,复合材料的体积电阻率始终维持在10¹⁵Ω·m的数量级,表面电阻率维持在10¹⁴Ω的数量级。

这两个数值是典型高性能绝缘材料的标志,表明复合材料在电气上仍然是近乎完mei的绝缘体。

2.影响机制解释(为什么变化不大?)

AlN自身的本征特性是关键:AlN不仅是一种高热导率的陶瓷,其本身也具有很高的电阻率(通常>10¹⁴Ω·m)。因此,当它作为填料分散在环氧树脂基体中时,它本身并不会引入导电通路或降低体系的整体绝缘性。

“-绝缘"复合体系:该复合材料属于“高绝缘性基体(环氧树脂)+高绝缘性填料(AlN)"的复合模式。两者的复合没有改变体系的绝缘本质。

填料的分散状态:在所述含量范围内(≤46%),AlN颗粒可能被绝缘的环氧树脂基体有效包覆和隔离,没有形成连续的、可供电子直接传输的导电网络或隧道电流通路。

与介电性能变化的对比

体积/表面电阻率:基本保持不变(保持高绝缘性),1.AlN自身电阻率高;2.未形成导电通路。

介电常数(εr):显著升高后趋于平缓,1.AlN的介电常数(~15)高于环氧树脂;2.界面极化增强。

介电损耗(tanδ):下降,AlN的介电损耗(0.0018)低于环氧树脂,拉低了整体损耗。

重要区分:

电阻率:反映材料阻止电流通过(导电性)的能力,主要由材料中的可迁移自由电荷数量决定。AlN不提供自由电荷,故不影响电阻率。

介电常数:反映材料在电场下存储电荷(极化)的能力,与束缚电荷在电场中的位移有关。高介电常数的AlN和其引入的界面都能增强极化,故使介电常数升高。


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